因为电流的改变，杂散电感Lσ两头感应出巨细为Lσ*dioff/dt的压降，该压降被当作是一个电压尖峰叠加在直流母线电压VCC上，一起施加在关断的IGBT1两头。答应的极限电流关断速度di/dt及过压才能能够从IGBT的RBSOA(反偏安全作业区)曲线）推导出。假如丈量是经过IGBT的辅佐CE，则该曲线是有用的。假如丈量是在IGBT模块主端子上进行的，考虑到主端子与辅佐端子之间的杂散电感，书中会相应给出降额曲线。关于IGBT两单元模块，此图所示为两个换流IGBT开关其中之一两头电压。
IGBT模块内部杂散电感值Ls会直接给出用于核算，关于单个开关IGBT模块，Ls的值是模块主端子到辅佐端子之间的杂散电感。关于两单元IGBT模块或许包括有多相桥臂的IGBT模块，Ls的值取决于使用中对应的上管和下管之间有用的换流回路。依据IGBT模块的结构，该值会显着小于上管和下管别离确认的杂散电感之和。在一个单相桥臂以上的模块中，从正电源电压，经过该相桥臂，回到负电源电压的换流回路总是最坏的状况。
可经过二极管关断的进程丈量内部杂散电感。在某一时间，当二极管的正向电流下降速度坚持稳定，二极管依然没有阻断才能时，两头发生压降。该压降只能是因为模块的杂散电感发生，无其他影响要素。模块杂散电感能够经过下式取得：Ls=△V/diF/dt。
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